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    三星今天(11月7日)宣布開始量產第8代V-NAND閃存芯片,堆到了236層。

    上一代V-NAND其實只有176層,已經用在了旗艦SSD固態盤990 PRO上。

    關于第八代V-NAND,有兩點值得一說,一是三星介紹單芯片現在可以做到1Tb,也就是256GB的超大容量。二是這次依然是TLC顆粒(3 bits/cell)。

    其實,部分廠商在進入到150+層的階段后,開始大肆制造更具成本效益的QLC顆粒,好在這次堅守住了底線。

    據悉,第8代V-NAND閃存芯片采用Toggle DDR5內部接口,傳輸速度2400Mbps,未來用于PCIe 5.0固態盤上,典型速度將能達到12.4GB/s。

    因為生產效率提升20%,最終的SSD成品模組也有望更便宜。稍稍遺憾的是,三星這次并沒有透露商用產品何時首發。

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